Morphological and structural evolutions of diluted Ge1−xMnx epitaxial films

We investigate the structural and morphological evolutions of Ge1−xMnx films, grown by molecular beam epitaxy on Ge(100), as a function of Mn nominal concentration (x). We show that in our experimental growth conditions (growth temperature TG∼160°C), Mn atoms incorporated in the matrix increases wit...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2007-10, Vol.91 (14), p.141920-141920--3
Hauptverfasser:	Ayoub, J.-P., Favre, L., Berbezier, I., Ronda, A., Morresi, L., Pinto, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed Matter Physics
Online-Zugang:	Volltext
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