Hetero-epitaxy of ZnSiAs2/GaAs grown by atmospheric pressure MOVPE

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1991-01, Vol.107 (1-4), p.410-415
Hauptverfasser:	Achargui, N., Benachenhou, A., Foucaran, A., Bougnot, G., Coulon, P., Laurenti, J.P., Camassel, J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Electronics Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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