Small-Signal Characterization and Modeling of 55 nm SiGe BiCMOS HBT up to 325 GHz

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 2017-03
Hauptverfasser:	Deng, Marina, Quémerais, Thomas, Bouvot, Simon, Gloria, Daniel, Chevalier, Pascal, Lepilliet, Sylvie, Danneville, Francois, Dambrine, Gilles
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Engineering Sciences
Online-Zugang:	Volltext
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