Electron mobility increase in submicronic transistors integrated on ultra thin membranes subjected to high mechanical stress

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-03, Vol.96, p.092107:1-3
Hauptverfasser:	Bercu, B., Montès, L., Rochette, F., Mouis, M., Xin, X., Morfouli, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed Matter Engineering Sciences Micro and nanotechnologies Microelectronics Other Physics
Online-Zugang:	Volltext
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