Microwave Performance of InAlAsSb/In0.35Ga0.65Sb/InAlAsSb Double Heterojunction Bipolar Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2010-04, Vol.31 (4), p.299-301
Hauptverfasser:	MAIRIAUX, E, DESPLANQUE, L, WALLART, X, ZAKNOUNE, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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