Experimental evaluation of gate architecture influence on multi-gate Silicon On Insulator MOSFETs performance

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 2005, Vol.52, p.1772-11779
1. Verfasser: Widiez J. Lolivier M. Vinet T. Poiroux B. Previtali F. Daugé M. Mouis S. Deleonibus, J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383