Decreasing the defects density at the Silicon Carbide interface through plasma annealing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	The Journal of the Alabama Academy of Science 2015-04, Vol.86 (2), p.123
Hauptverfasser:	McGee, Maurice, Chen, Zengjun, Sharma, Prakash C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing Nitrogen (Chemical element) Properties Silicon carbides Technology application
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!