Advanced MERIE technology for high-volume 0.25-micron generation critical dielectric etch

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Solid state technology 1997-08, Vol.40 (8), p.93
Hauptverfasser:	Lindley, Roger, Bjorkman, Claes, Shan, Hongching, Pu, Bryan, Doan, Kenny, Wang, Zhuxu
Format:	Magazinearticle
Sprache:	eng
Schlagworte:	Dielectrics Innovations Plasma etching
Online-Zugang:	Volltext
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