A Comment to the paper by E.A. Tatokhin, A.V. Kadantsev, A.E. Bormontov, and V.G. Zadorozhniy “a statistical method of deep-level transient spectroscopy in semiconductors”

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductors (Woodbury, N.Y.) N.Y.), 2011-06, Vol.45 (6), p.832-834
1. Verfasser:	Yarykin, N. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Analysis Fabrication Magnetic Materials Magnetism Methods Physics Physics and Astronomy Spectrum analysis Testing of Materials and Structures Treatment
Online-Zugang:	Volltext
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