Verfahren zum Abtrennen von Verunreinigungen von Siliciumcarbid und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Technischen Keramik und betrifft ein Verfahren zum Abtrennen von Verunreinigungen von Siliciumcarbid, welches an SiC-Pulvern von Schleifschlämmen eingesetzt werden kann, und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver.Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Technischen Keramik und betrifft ein Verfahren zum Abtrennen von Verunreinigungen von Siliciumcarbid, welches an SiC-Pulvern von Schleifschlämmen eingesetzt werden kann, und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver.Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem verschiedene Verunreinigungen mit einem einfachen und wirtschaftlichen Verfahren im Wesentlichen vollständig entfernt werden, und gereinigtes Siliciumcarbid-Pulver, das wieder industriell bereitgestellt werden kann.Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, bei dem pulverförmige SiC-Abfallprodukte, die mindestens 50 Ma.-% SiC und eine mittlere Korngrößen d50zwischen 0,5 bis 1000 µm aufweisen, und einer Temperaturbehandlung unterzogen und abgekühlt worden sind, mechanisch behandelt und physikalisch getrennt werden, und nachfolgend eine Aufteilung der physikalisch getrennten SiC-Pulver in zwei Fraktionen durchgeführt wird, von denen in einer Fraktion die Masse an Verunreinigungen mindestens um den Faktor 2 höher ist als in der anderen Fraktion. |
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