28-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 μm T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs

Bibliographische Detailangaben

Format:	Web Resource
Sprache:	eng ; ger
Schlagworte:	Electrical engineering, electronics Elektrotechnik, Elektronik Gallium arsenide field effect transistor, frequency divider, HEMT Galliumarsenid-Feldeffekttransistor, Frequenzteiler, HEMT
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