Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kamiński Paweł
Format: Web Resource
Sprache:pol
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator Kamiński Paweł
description Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.
format Web Resource
fullrecord <record><control><sourceid>europeana_1GC</sourceid><recordid>TN_cdi_europeana_collections_0940431_nnbZ6x2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>0940431_nnbZ6x2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-europeana_collections_0940431_nnbZ6x23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZAgLLzjaVFmukH5kZnFJ_tHZyZkKKZXFOfnZiclZmQp5iQrFJUWl2SWlRUdmKqSkpqVml-SXH2lVKE8sKi4pV0gtyCxJzC7OSszJq0zOUHBPdCw20DOzCknlYWBNS8wpTuWF0twMOm6uIc4euqmlRfkFqYl5ifHJ-Tk5qcklmfl5xfEGliYGJsaG8Xl5SVFmFUbGJCoHABR4RoU</addsrcrecordid><sourcetype>Aggregation Database</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>web_resource</recordtype></control><display><type>web_resource</type><title>Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te</title><source>Europeana Collections</source><creator>Kamiński Paweł</creator><creatorcontrib>Kamiński Paweł</creatorcontrib><description>Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.</description><language>pol</language><publisher>Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"</publisher><subject>defect ; defekt ; dislocation density ; Electronic - journal - material ; Electronic materials ; Elektronika - czasopismo - materiały ; epitaxy layer ; GaAsP:Te ; gęstość dyslokacji ; Materiały elektroniczne ; warstwa epitaksjalna</subject><creationdate>1986</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://data.europeana.eu/item/0940431/_nnbZ6x2$$EHTML$$P50$$Geuropeana$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>776,38496,75922</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://data.europeana.eu/item/0940431/_nnbZ6x2$$EView_record_in_Europeana$$FView_record_in_$$GEuropeana$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Kamiński Paweł</creatorcontrib><title>Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te</title><description>Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.</description><subject>defect</subject><subject>defekt</subject><subject>dislocation density</subject><subject>Electronic - journal - material</subject><subject>Electronic materials</subject><subject>Elektronika - czasopismo - materiały</subject><subject>epitaxy layer</subject><subject>GaAsP:Te</subject><subject>gęstość dyslokacji</subject><subject>Materiały elektroniczne</subject><subject>warstwa epitaksjalna</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>web_resource</rsrctype><creationdate>1986</creationdate><recordtype>web_resource</recordtype><sourceid>1GC</sourceid><recordid>eNrjZAgLLzjaVFmukH5kZnFJ_tHZyZkKKZXFOfnZiclZmQp5iQrFJUWl2SWlRUdmKqSkpqVml-SXH2lVKE8sKi4pV0gtyCxJzC7OSszJq0zOUHBPdCw20DOzCknlYWBNS8wpTuWF0twMOm6uIc4euqmlRfkFqYl5ifHJ-Tk5qcklmfl5xfEGliYGJsaG8Xl5SVFmFUbGJCoHABR4RoU</recordid><startdate>1986</startdate><enddate>1986</enddate><creator>Kamiński Paweł</creator><general>Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"</general><scope>1GC</scope></search><sort><creationdate>1986</creationdate><title>Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te</title><author>Kamiński Paweł</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-europeana_collections_0940431_nnbZ6x23</frbrgroupid><rsrctype>web_resources</rsrctype><prefilter>web_resources</prefilter><language>pol</language><creationdate>1986</creationdate><topic>defect</topic><topic>defekt</topic><topic>dislocation density</topic><topic>Electronic - journal - material</topic><topic>Electronic materials</topic><topic>Elektronika - czasopismo - materiały</topic><topic>epitaxy layer</topic><topic>GaAsP:Te</topic><topic>gęstość dyslokacji</topic><topic>Materiały elektroniczne</topic><topic>warstwa epitaksjalna</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Kamiński Paweł</creatorcontrib><collection>Europeana Collections</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Kamiński Paweł</au><format>book</format><genre>unknown</genre><ristype>GEN</ristype><btitle>Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te</btitle><date>1986</date><risdate>1986</risdate><abstract>Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.</abstract><pub>Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"</pub><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language pol
recordid cdi_europeana_collections_0940431_nnbZ6x2
source Europeana Collections
subjects defect
defekt
dislocation density
Electronic - journal - material
Electronic materials
Elektronika - czasopismo - materiały
epitaxy layer
GaAsP:Te
gęstość dyslokacji
Materiały elektroniczne
warstwa epitaksjalna
title Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-28T05%3A22%3A59IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-europeana_1GC&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:book&rft.genre=unknown&rft.btitle=Wp%C5%82yw%20g%C4%99sto%C5%9Bci%20dyslokacji%20na%20struktur%C4%99%20defektow%C4%85%20warstw%20epitaksjalnych%20GaAs0.6:Te&rft.au=Kami%C5%84ski%20Pawe%C5%82&rft.date=1986&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Ceuropeana_1GC%3E0940431_nnbZ6x2%3C/europeana_1GC%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true