Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kamiński Paweł
Format:	Web Resource
Sprache:	pol
Schlagworte:	defect defekt dislocation density Electronic - journal - material Electronic materials Elektronika - czasopismo - materiały epitaxy layer GaAsP:Te gęstość dyslokacji Materiały elektroniczne warstwa epitaksjalna
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Bibliogr. s. 14 Bibliogr. s. 14 s. 7-14 : il.