CROSSED GRATING PHOTONIC CRYSTALS AND MULTIPLE EXPOSURE PROCESSES FOR MAKING THEM
Methods of making crossed grating photonic crystals using either two simultaneous or two sequential interferometric exposures are disclosed. The formation of a patterned crossed grating photonic crystal by photolithographically forming an in situ masking element using a photomask (46) to expose a ph...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Methods of making crossed grating photonic crystals using either two simultaneous or two sequential interferometric exposures are disclosed. The formation of a patterned crossed grating photonic crystal by photolithographically forming an in situ masking element using a photomask (46) to expose a photoresist (44) overlying an opaque film (42) and using the patterned resist (52) as a mask to etch the metal layer to form a patterned metal film (56) on the substrate (40). The patterned metal film is then coated with a second resist (58) and exposed to two simultaneous interferometric exposures (60) through the backside of the substrate (40) and then is developed to form the pattern shown in figure (5I). The resulting articles may be used a waveguides, couplers, splitters and wavelength division multipliers.
Cette invention a trait à des techniques de production de cristaux photoniques en réseau croisé, techniques dans le cadre desquelles interviennent deux expositions interférométriques simultanées ou successives. Elle concerne également la formation d'un cristal photonique en réseau croisé configuré par formation in situ par photolithographie d'un élément de masquage et ce, à l'aide d'un masque photographique (46) afin d'exposer une résine photosensible (44) sus-jacente à un film opaque (42), et par utilisation de la réserve configurée (52) comme masque pour l'attaque de la couche métallique afin de constituer un film métallique configuré (56) sur le substrat (40). Le film métallique configuré, qui est ensuite enduit d'une seconde réserve (58), est exposé aux effets de deux expositions interférométriques simultanées (60) à travers la dorsale du substrat (40) puis développé pour former la configuration montrée par la figure (5I). Les articles ainsi produits peuvent servir de guides d'ondes, de coupleurs, de répartiteurs et de multiplexeurs par répartition en longueur d'onde. |
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