GALLIUM ARSENIDE MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUITS EMPLOYING THERMALLY BUMPED DEVICES
Flip chip monolithic microwave integrated circuits (MMIC) devices (10) formed on gallium arsenide substrates (11) and use thermally bumped diodes (12) and field effect transistor devices (30) to achieve improved heat dissipation and power protection. Flip chip limiter MMIC devices (10a) and transmit...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Flip chip monolithic microwave integrated circuits (MMIC) devices (10) formed on gallium arsenide substrates (11) and use thermally bumped diodes (12) and field effect transistor devices (30) to achieve improved heat dissipation and power protection. Flip chip limiter MMIC devices (10a) and transmit/receive switch MMIC devices (10b) are specifically provided by the present invention. The flip chip gallium arsenide limiter and transmit/receive switch MMIC devices use plated metallized bumps (14) for both I/O connections and for thermal connections to a host substrate (aluminum nitride) (21). The present invention also incorporates coplanar waveguide transmission line (17), thereby eliminating backside processing of the gallium arsenide substrates. The transmit/receive switch device provides power protection in both transmit and receive modes.
L'invention concerne des dispositifs à circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (MMIC) (10) à puces à bosses formés sur des substrats (11) d'arséniure de gallium utilisent des diodes (12) montées thermiquement par bosses et des dispositifs à transistors à effet de champ (30) pour améliorer la dissipation de la chaleur et la résistance à l'énergie HF. L'invention concerne d'une manière spécifique des dispositifs MMIC limiteurs à puces à bosses (10a) et des dispositifs MMIC de commutation émetteurs/récepteurs (10b). Les dispositifs MMIC limiteurs à arséniure de gallium à puces à bosses et les dispositifs MMIC de commutation émetteurs/récepteurs utilisent des bosses métallisées plaquées (14) servant à réaliser tant des connexions d'entrée/sorte et des connexions thermiques sur un substrat hôte (nitrure d'aluminium) (21). L'invention concerne également une ligne de transmission guide d'ondes coplanaire (17), ce qui permet d'éviter un traitement de la surface arrière des substrats d'arséniure de gallium. Le dispositif de commutation émetteur/récepteur fournit une résistance à l'énergie HF en mode émetteur aussi bien qu'en mode récepteur. |
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