SLURRY FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING METAL SURFACES

The present invention provides a slurry for chemical-mechanical polishing metal surfaces which significantly increases the removal rate and is capable of polishing metals which are inert to most common oxidizing agents. The slurry is particularly useful for polishing metal layers on semiconductor wafer substrates. The slurry includes water, abrasive particles, and an oxidizing solution. In one preferred embodiment, the oxidizing solution comprises one or more water soluble peroxides, one or more amino acids, and one or more metals and/or compounds containing metals selected from the group consisting of chromium, cobalt, copper, iron, lead, nickel, palladium, rhodium, samarium, and scandium, with copper being preferred. In another preferred embodiment, the oxidizing solution comprises one or more water soluble peroxides, one or more organic amines, and optionally one or more metals and/or compounds containing metals. L'invention concerne une pâte servant à effectuer le polissage chimiomécanique de surfaces métalliques, ce qui augmente considérablement le taux d'élimination et permet de polir des métaux inertes à la plupart des agents d'oxydation classiques. Cette pâte est particulièrement utile pour polir des couches de métal sur des substrats de tranches à semi-conducteur. Cette pâte contient de l'eau, des particules abrasives et une solution oxydante. Dans un mode de réalisation préféré, cette solution oxydante comprend un ou plusieurs peroxydes solubles dans l'eau, un ou plusieurs acides aminés et un ou plusieurs métaux et/ou composés contenant des métaux sélectionnés dans le groupe constitué par chrome, cobalt, cuivre, fer, plomb, nickel, palladium, rhodium, samarium et scandium, le cuivre étant préféré. Dans un autre mode de réalisation préféré, la solution oxydante est composée d'un ou de plusieurs peroxydes solubles dans l'eau, d'une ou de plusieurs amines organiques et, éventuellement, d'un ou de plusieurs métaux et/ou composés contenant des métaux.