PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

A plasma processing apparatus provided with a processing gas supply unit (5) having a plurality of processing gas supply ports (55) for introducing a processing gas into processing chambers (22), the processing gas introduction ports (55) having axes (A) diagonally crossing a plane, which includes a...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: AOKI, TAKESHI, AMANO, HIDEAKI, NAKASE, RISA, OKA, SHINSUKE, AKAHORI, TAKASHI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:A plasma processing apparatus provided with a processing gas supply unit (5) having a plurality of processing gas supply ports (55) for introducing a processing gas into processing chambers (22), the processing gas introduction ports (55) having axes (A) diagonally crossing a plane, which includes a surface to be processed of a substrate (W) placed on a table (4), at a predetermined angle ( theta ), the axes of the processing gas introduction ports (55) being on a normal (B) on the center (C) of the surface to be processed of the substrate (W) and crossing one another in a position offset from the surface to be processed toward a plasma chamber (2l) by a predetermined distance (L), whereby the distribution of concentration of the processing gas above the substrate (W) is made uniform. Appareil de traitement au plasma doté d'une unité d'alimentation en gaz de traitement (5), présentant plusieurs orifices d'alimentation (55) en gaz de traitement utilisés pour l'introduction d'un gaz de traitement dans des chambres de traitement (22) et présentant des axes (A) coupant en diagonale un plan. La surface à traiter d'un substrat (W) est placée sur une table (4), selon un angle prédéterminé ( theta ), les axes des orifices d'introduction du gaz de traitement (55) se trouvant sur une perpendiculaire (B) située sur le centre de la surface à traiter du substrat (W) et se croisant en position décalée par rapport à la surface à traiter, vers une chambre à plasma (21), à une distance prédéterminée (L), la répartition de la concentration de gaz de traitement au dessus du substrat (W) étant homogène.