PROCESS OF SHALLOW TRENCH ISOLATING ACTIVE DEVICES TO AVOID SUB-THRESHOLD KINKS ARISING FROM CORNER EFFECTS WITHOUT ADDITIONAL PROCESSING

A shallow trench isolation (STI) process active devices avoids creating corner effects and sub-threshold kinks by a process which does not include additional steps or additional processing time. A predetermined material, such as polysilicon or doped polysilicon, is selected for a mask layer. The material reacts to form the same isolation material to a greater depth than the isolation material formed as a passivating trench layer at a silicon substrate, under simultaneous thermochemical reaction conditions. A relatively thicker protective layer is formed by the simultaneous reacition, and the protective layer projects the upper corners of the trench layer from removal when a padding layer is removed. The end result is a rounded protective corner which prevents the corner effect and the undesirable sub-threshold voltage-current non-linearities or kinks. Des dispositifs actifs de processus d'isolement par tranchées peu profondes évitent de créer des effets de coin et des bosses inférieures au seuil du fait qu'on utilise un procédé qui ne nécessite pas d'étapes supplémentaires ou de temps de traitement supplémentaire. Un matériau prédéterminé, tel que du polysilicium ou du polysilicium dopé, est sélectionné pour servir de couche de masque. Le matériau réagit pour former le matériau d'isolement à une profondeur supérieure à celle du matériau d'isolement formé en tant que couche de tranchée de passivation sur le substrat en silicium, dans des conditions de réaction thermochimique simultanées. Une couche protectrice relativement plus épaisse est formée par la réaction simultanée, et la couche protectrice protège les coins supérieurs de la couche de tranchée afin qu'elle ne soit pas enlevée lorsqu'on ôte la couche de garnissage. Le résultat final est un coin protecteur arrondi qui empêche l'effet de coin et les bosses ou les non linéarités tension-courant inférieures au seuil.