ETCHING METHODS FOR ANISOTROPIC PLATINUM PROFILE
A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 mu m and having a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . The method comprises heating...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| description | A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 mu m and having a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . The method comprises heating the substrate to a temperature greater than about 150 DEG C, and etching the platinum electrode layer by employing a high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising chlorine, argon and optionally a gas selected from the group consisting of BC13, HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum electrodes have a dimension (e.g., a width) which includes a value equal to or less than about 0.3 mu m and a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG .
Procédé servant à graver une couche d'électrodes de platine située sur un substrat afin de fabriquer un composant à semi-conducteur comprenant une pluralité d'électrodes séparées d'une distance égale ou inférieure à 0,3 mu m, et présentant un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . Ce procédé consiste à réchauffer le substrat à une température supérieure à 150 DEG C et à graver la couche d'électrodes de platine au moyen d'un plasma à couplage inductif de densité élevée de gaz de gravure comprenant du chlore, de l'argon et, éventuellement, un gaz sélectionné dans le groupe constitué par BCl3, HBr et leurs mélanges. Composant à semi-conducteur possédant un substrat et une pluralité d'électrodes de platine supportées par le substrat. Ces électrodes de platine présentent une dimension (par exemple, largeur) incluant une valeur égale ou supérieure à 0,3 mu m et un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . |
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Procédé servant à graver une couche d'électrodes de platine située sur un substrat afin de fabriquer un composant à semi-conducteur comprenant une pluralité d'électrodes séparées d'une distance égale ou inférieure à 0,3 mu m, et présentant un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . Ce procédé consiste à réchauffer le substrat à une température supérieure à 150 DEG C et à graver la couche d'électrodes de platine au moyen d'un plasma à couplage inductif de densité élevée de gaz de gravure comprenant du chlore, de l'argon et, éventuellement, un gaz sélectionné dans le groupe constitué par BCl3, HBr et leurs mélanges. Composant à semi-conducteur possédant un substrat et une pluralité d'électrodes de platine supportées par le substrat. Ces électrodes de platine présentent une dimension (par exemple, largeur) incluant une valeur égale ou supérieure à 0,3 mu m et un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG .</description><edition>6</edition><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25 ; NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1999</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19990722&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9936956A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19990722&DB=EPODOC&CC=WO&NR=9936956A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HWANG, JENG, H</creatorcontrib><title>ETCHING METHODS FOR ANISOTROPIC PLATINUM PROFILE</title><description>A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 mu m and having a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . The method comprises heating the substrate to a temperature greater than about 150 DEG C, and etching the platinum electrode layer by employing a high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising chlorine, argon and optionally a gas selected from the group consisting of BC13, HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum electrodes have a dimension (e.g., a width) which includes a value equal to or less than about 0.3 mu m and a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG .
Procédé servant à graver une couche d'électrodes de platine située sur un substrat afin de fabriquer un composant à semi-conducteur comprenant une pluralité d'électrodes séparées d'une distance égale ou inférieure à 0,3 mu m, et présentant un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . Ce procédé consiste à réchauffer le substrat à une température supérieure à 150 DEG C et à graver la couche d'électrodes de platine au moyen d'un plasma à couplage inductif de densité élevée de gaz de gravure comprenant du chlore, de l'argon et, éventuellement, un gaz sélectionné dans le groupe constitué par BCl3, HBr et leurs mélanges. Composant à semi-conducteur possédant un substrat et une pluralité d'électrodes de platine supportées par le substrat. Ces électrodes de platine présentent une dimension (par exemple, largeur) incluant une valeur égale ou supérieure à 0,3 mu m et un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG .</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25</subject><subject>NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1999</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBwDXH28PRzV_B1DfHwdwlWcPMPUnD08wz2DwnyD_B0VgjwcQzx9Av1VQgI8nfz9HHlYWBNS8wpTuWF0twMCm4gM3RTC_LjU4sLEpNT81JL4sP9LS2NzSxNzRwNjYlQAgAA9yZi</recordid><startdate>19990722</startdate><enddate>19990722</enddate><creator>HWANG, JENG, H</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19990722</creationdate><title>ETCHING METHODS FOR ANISOTROPIC PLATINUM PROFILE</title><author>HWANG, JENG, H</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO9936956A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>1999</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLICMATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASSC23 AND AT LEAST ONEPROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25</topic><topic>NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HWANG, JENG, H</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HWANG, JENG, H</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>ETCHING METHODS FOR ANISOTROPIC PLATINUM PROFILE</title><date>1999-07-22</date><risdate>1999</risdate><abstract>A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 mu m and having a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . The method comprises heating the substrate to a temperature greater than about 150 DEG C, and etching the platinum electrode layer by employing a high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising chlorine, argon and optionally a gas selected from the group consisting of BC13, HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum electrodes have a dimension (e.g., a width) which includes a value equal to or less than about 0.3 mu m and a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG .
Procédé servant à graver une couche d'électrodes de platine située sur un substrat afin de fabriquer un composant à semi-conducteur comprenant une pluralité d'électrodes séparées d'une distance égale ou inférieure à 0,3 mu m, et présentant un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . Ce procédé consiste à réchauffer le substrat à une température supérieure à 150 DEG C et à graver la couche d'électrodes de platine au moyen d'un plasma à couplage inductif de densité élevée de gaz de gravure comprenant du chlore, de l'argon et, éventuellement, un gaz sélectionné dans le groupe constitué par BCl3, HBr et leurs mélanges. Composant à semi-conducteur possédant un substrat et une pluralité d'électrodes de platine supportées par le substrat. Ces électrodes de platine présentent une dimension (par exemple, largeur) incluant une valeur égale ou supérieure à 0,3 mu m et un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG .</abstract><edition>6</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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