ETCHING METHODS FOR ANISOTROPIC PLATINUM PROFILE

A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to produce a semiconductor device including a plurality of electrodes separated by a distance equal to or less than about 0.3 mu m and having a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . The method comprises heating the substrate to a temperature greater than about 150 DEG C, and etching the platinum electrode layer by employing a high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising chlorine, argon and optionally a gas selected from the group consisting of BC13, HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum electrodes have a dimension (e.g., a width) which includes a value equal to or less than about 0.3 mu m and a platinum profile equal to or greater than about 85 DEG . Procédé servant à graver une couche d'électrodes de platine située sur un substrat afin de fabriquer un composant à semi-conducteur comprenant une pluralité d'électrodes séparées d'une distance égale ou inférieure à 0,3 mu m, et présentant un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG . Ce procédé consiste à réchauffer le substrat à une température supérieure à 150 DEG C et à graver la couche d'électrodes de platine au moyen d'un plasma à couplage inductif de densité élevée de gaz de gravure comprenant du chlore, de l'argon et, éventuellement, un gaz sélectionné dans le groupe constitué par BCl3, HBr et leurs mélanges. Composant à semi-conducteur possédant un substrat et une pluralité d'électrodes de platine supportées par le substrat. Ces électrodes de platine présentent une dimension (par exemple, largeur) incluant une valeur égale ou supérieure à 0,3 mu m et un profil de platine égal ou supérieur à 85 DEG .