ION IMPLANTING APPARATUS AND METHOD

The present invention is directed to a method of efficiently cleaning the inside of a target chamber of an ion implanter contamined by a phosphorus implantation process. In this cleaning method, if the inside of the chamber is contaminated with phosphorus, then an oxygen gas is supplied from its supply into the chamber without opening the latter. As a consequence, phosphorus reacts with oxygen to yield highly volatile phosphorus oxide, which is removed as being aspirated with a vacuum pump connected to the ion implanter. While the vacuum within the chamber is maintained here, it is preferred that only turbo pumps of the beam line section be operated with the valves of cryopumps connected to the chamber being closed. As a consequence, hydrogen which could have already been adsorbed by the cryopumps and oxygen supplied can be prevented from reacting with each other. Cette invention concerne un procédé permettant de nettoyer soigneusement l'intérieur de la chambre à vide d'un implanteur d'ions qui a été contaminée lors d'un opération d'implantation d'ions de phosphore. Dans ce cas, ledit procédé prévoit d'envoyer de l'oxygène gazeux dans la chambre sans ouvrir celle-ci. En réagissant avec l'oxygène, le phosphore produit un oxyde de phosphore hautement volatil qui est évacué au moyen d'une pompe à vide branchée sur l'implanteur d'ions. Pendant cette mise à vide de la chambre, il est préférable de ne laisser fonctionner que les turbopompes de l'émetteur de faisceaux, en fermant les soupapes des cryopompes reliées à la chambre. On empêche ainsi une réaction entre l'hydrogène susceptible d'avoir déjà été adsorbé par les cryopompes et l'oxygène injecté.