MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A POLY-EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR

A method of manufacturing a semiconductor device with a bipolar transistor, by which method consecutively: a surface (9) of a silicon body (1, 2) is provided with a first layer of silicon oxide (20) by means of oxidation, a base zone (21) is formed by means of ion implantation, a second layer of silicon oxide (22) is formed on the first layer of silicon oxide by means of deposition, a window (26) is formed in the two layers of silicon oxide, within which window the surface of the silicon body is exposed, a layer of polycrystalline silicon (28) is deposited on the second layer of silicon oxide and in the window, and an emitter zone (29) is formed in the base zone through diffusion of a dopant from the layer of polycrystalline silicon. A protective top layer (23) which is resistant to a cleaning bath containing HF is provided on the second layer of silicon oxide before the layer of polycrystalline silicon is deposited. Thus a usual HF dip can be carried out before the layer of polycrystalline silicon is deposited, without the bipolar transistors in an integrated circuit exhibiting strongly differing electrical properties as a result of this. On décrit un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un transistor bipolaire; ce procédé consistant successivement à: utiliser un corps (1, 2) en silicium dont une surface (9) a été recouverte par oxydation d'une première couche d'oxyde de silicium (20); former une zone (21) de base par implantation d'ions; former par dépôt une deuxième couche d'oxyde de silicium (22) sur la première couche d'oxyde de silicium; former une fenêtre (26) dans les deux couches d'oxyde de silicium, la surface du corps en silicium étant exposée à travers cette fenêtre; déposer une couche de silicium polycristallin (28) sur la deuxième couche d'oxyde de silicium et dans la fenêtre; et à former une zone (29) d'émission dans la zone de base par diffusion d'un dopant dans la couche de silicium polycristallin. Une couche (23) supérieure de protection qui résiste à un bain de nettoyage contenant du HF est prévue sur la deuxième couche d'oxyde de silicium avant le dépôt de la couche de silicium polycristallin. Par conséquent, l'immersion classique dans du HF peut être réalisée avant le dépôt de la couche de silicium polycristallin, sans pour autant que les transistors bipolaires d'un circuit intégré présentent des propriétés électriques fortement différentes.