STRIPE LASER AND METHOD FOR MAKING SAME

The invention concerns a stripe laser comprising: a substrate (1) whereof one surface is provided with at least a sunk or wire-shaped mesa relief in the form of a stripe; several stacks of layers located on said surface, each stack comprising a first confinement layer (2), an active laser layer (3), a second confinement layer (4); a contact layer (5) located on the top stack; an electrode (6) located on the contact layer (5); the longitudinal edges of said relief producing a longitudinal optical guidance in each active layer of each stack. Such a laser constitutes a power laser with high luminance, for timed or quasi-continuous operation in the near infrared (GaAs and InP dies). The strong luminance results from the use of a compact stacking of laser layers electrically associated with Esaki diode junctions. The stacking can realistically comprise up to five emissive stages with a repeat step close to 3 mu m. With such devices, it is most likely that peak optical densities on the transmitter of the order of 100 kW.cm can be achieved, which would represent an improvement of factor 100 of current performances at present. The main fields of application are: optical pumping of solid lasers, the iron industry and illuminators. L'invention concerne un laser à rubans comportant: un substrat (1) dont une face est munie d'au moins un relief (10) en creux ou en mesa de forme ruban; plusieurs empilements de couches situés sur ladite face, chaque empilement comportant une première couche de confinement (2), une couche active laser (3), une deuxième couche de confinement (4); une couche de contact (5) située sur l'empilement supérieur; une électrode (6) située sur la couche de contact (5); les bords longitudinaux dudit relief réalisant un guidage optique longitudinal dans chaque couche active de chaque empilement. Un tel laser constitue un laser de puissance présentant une luminance élevée, pour un fonctionnement pulsé ou quasi-continu dans le proche infrarouge (filières GaAs et InP). La forte luminance résulte de l'utilisation d'un empilement compact de couches laser associées électriquement par des jonctions tunnel Esaki. L'empilement pourrait comporter de façon réaliste jusqu'à cinq étages émissifs avec un pas de répétition voisin de 3 mu m. Avec de tels dispositifs, il est vraisemblablement possible d'atteindre des densités de puissance optique crête sur l'émetteur de l'ordre de 100 kW.cm, ce qui représenterait une amélioration d'un facteur 100 des performa