METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONTINUITY IN SEMICONDUCTOR COMPONENTS

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung elektrisch leitfähiger Durchgänge in vorzugsweise auf einem Halbleiter angeordneten Halbleiter-Bauelementen mittels Thermomigration durch Erzeugen eines Temperaturgradienten zwischen zwei entgegengesetzten Oberflächen der Halbleiter-Bauelemente und Aufbringen eines leitfähigen Dotierungsstoffes auf die kühlere Oberfläche. Die eine Oberfläche des Halbleiters wird auf einer gekühlten Probenaufnahme angeordnet und die entgegengesetzte Oberfläche einer Wärmestrahlung ausgesetzt, die sowohl in ihrer Gesamtleistung als auch in ihrer Leistungsverteilung über die Fläche des Halbleiters steuerbar ist. Die Gesamtleistung und/oder die Leistungsverteilung der Wärmestrahlung wird in Abhängigkeit von der an mindestens einem Temperatur-Messpunkt auf dem Halbleiter bzw. dem Halbleiter-Bauelement gemessenen Temperatur eingestellt. The invention relates to a method and device for producing electrically conductive continuity in semiconductor components, preferably mounted on a semiconductor, by means of thermomigration, wherein a temperature gradient between two opposing surfaces of the semiconductor component is produced and a conductive dopant is applied on the cooler surface. One surface of the semiconductor is arranged on a cooled sampling and the opposite surface is exposed to heat radiation whose total output and power distribution can be regulated on the surface of the semiconductor. The total output and/or power distribution of the heat radiation is regulated depending on the temperature measured on at least one measuring point on the semiconductor or the semiconductor component. L'invention concerne un procédé et un dispositif pour l'obtention de passages électro-conducteurs dans des composants semi-conducteurs montés de préférence sur un semi-conducteur, par thermomigration par production d'un gradient de température entre deux surfaces opposées du composant semi-conducteur et application d'une substance de dopage conductrice sur la surface la plus froide. L'une des surfaces du semi-conducteur est disposée sur un logement d'essai refroidi et la surface opposée est exposée à un rayonnement thermique pouvant être réglé sur la surface du semi-conducteur, relativement, à la fois, à sa puissance totale et à sa répartition de puissance. La puissance totale et/ou la répartition de puissance du rayonnement thermique sont réglées en fonction de la température mesurée sur au moins un point de mesure de