MOLECULAR BEAM EPITAXY EFFUSION CELL

A molecular beam epitaxy effusion cell for growing epitaxial layers upon a semiconductor substrate by control of a collimated beam of molecules generated from a source material in a high vacuum environment in order to control the hyper abrupt stoichiometry of the effusion flux. A heated control assembly is used to control the size of the exit openings of the effusion cell. The control assembly comprises a boroelectric heating member such as a grating having a plurality of holes and a perforated cover which are adjustable relative to one another. The grating includes an internal heating element. L'invention concerne une cellule à effusion pour l'épitaxie par faisceau moléculaire permettant la formation de couches épitaxiales sur un substrat semiconducteur par la commande d'un faisceau collimaté de molécules générées par un matériau source dans un environnement à vide poussé de sorte que la stoechiométrie hyper abrupte du flux d'effusion soit modulée. Un ensemble de commande chauffé est utilisé pour commander la taille des ouvertures de sortie de la cellule d'effusion. Il comprend un élément chauffant boroélectrique, telle qu'une grille ayant plusieurs orifices, et un couvercle perforé, qui sont ajustables l'un par rapport à l'autre. Ladite grille comprend un élément chauffant interne.