THE METHOD OF FABRICATION OF HIGHLY RESISTIVE GaN BULK CRYSTALS

This method according to the invention allows the fabrication of bulk GaN crystals of high specific resistivity. This is achieved by the crystallization of GaN from the solution of atomic nitrogen in molten mixture of metals, containing gallium and Periodic Table group II metals: magnesium, calcium, zinc, beryllium, cadmium, under high pressure of nitrogen, in the temperature gradient. These crystals can be used to fabrication of excellent single crystalline GaN substrates for deposition of the homoepitaxial layers and structures for the optoelectronic applications. L'invention concerne un procédé de fabrication de cristaux de GaN massifs, présentant un résistivité spécifique élevée. Pour ce faire, on cristallise le GaN à partir d'une solution d'azote atomique dans un mélange en fusion de métaux, contenant du gallium et des métaux du groupe II du tableau périodique: magnésium, calcium, zinc, béryllium, cadmium, sous une pression d'azote élevée, dans le gradient de température. Ces cristaux peuvent être utilisés pour la fabrication de substrats de GaN monocristallin de grande qualité, pour le dépôt de structures et de couches homoépitaxiales dans des applications optoélectroniques.