DUAL LAYER MAGNETIC EXCHANGE STABILIZATION FOR MR HEADS

A magnetoresistive (MR) head (100) for use in a data storage system is disclosed. The MR head includes an MR sensor layer (170) and a soft adjacent layer (SAL) (120) disposed along a length of the MR sensor layer and adapted to vertically bias the MR sensor layer. A spacer layer (130) is formed between the MR sensor layer and the SAL in a central region (200) of the MR head. The MR sensor layer and the SAL are independently stabilized by first and second permanent magnet (PM) layers (160, 140) each formed in contact with one of the SAL and the MR sensor layer in first and second wing regions (210, 220) of the MR head. This allows a layer of low resistivity material (150) to be placed between the first and second PM layers in the first and second wing regions in order to lower the resistance of the MR head. Tête (100) à magnétorésistance (MR) utilisable dans un système de mémorisation de données. La tête MR comprend une couche (170) de détection et une couche "douce" adjacente (120) disposée sur la longueur de la couche de détection MR et conçue pour polariser dans le sens de l'épaisseur sur la couche de détection MR. Une couche (130) d'espacement est formée entre la couche de détection MR et la couche "douce" adjacente dans une zone centrale (200) de la tête MR. La couche de détection MR et la couche "douce" adjacente sont stabilisées indépendamment l'une de l'autre par une première et une seconde couche (160, 140) magnétique permanente, dont chacune est formée de manière à entrer en contact avec la couche souple adjacente ou la couche de détection MR dans une première et une seconde zone (210, 220) latérale de la tête MR. Cet agencement permet de placer une couche de matériau (150) à faible résistivité entre la première et la seconde couche magnétique permanente dans la première et la seconde zone latérale de manière à abaisser la résistance de la tête MR.