MAKING AN APPARATUS WITH PLANAR-TYPE RESISTORS

The present invention pertains to electronics, especially vacuum microelectronics, and can be used in the manufacture of deep-level apparatus and vacuum integrated circuits and flat cathodoluminescent displays. The inventive technology includes the formation of film resistive sites on the dielectric surface of the base, after which the conductive film of the cathodic electrode is applied onto the surface of said film resistive sites, while an inverted mask fitted with openings is provided on the surface of the cathodic electrode. Said conductive film of the cathodic electrode passes through the mask, while transmitters coinciding with above-mentioned openings in the dielectric film and the control electrode on the exposed resistive sites are formed on the exposed resistive sites according to self-combined methods. The inventive method includes the possibility for the transmitter surface to be covered with a material capable of stabilizing their emission current, as well as the formation of an oxide at the edge of the openings in the control electrode, resulting in an increased percentage of acceptable deep-level structures, as well as in the emission current from their surface being homogeneous. La présente invention a trait à l'électronique, et plus particulièrement à la microélectronique sous vide, et peut être s'utiliser lors de la fabrication d'appareils niveau profond, de circuits intégrés sous vide et d'écrans cathodoluminescents plats. Le procédé technique proposé inclut la formation de sites résistants à couche sur la surface diélectrique de la base, après quoi sur la surface des sites résistants à couche est appliquée la couche conductrice de l'électrode cathodique, tandis que sur la surface de l'électrode cathodique est prévu un masque inversé à ouvertures. Au travers du masque s'infiltre ladite couche conductrice de l'électrode cathodique, puis sur les sites résistants exposés sont constitués, selon des procédés autocombinés, des émetteurs coïncidant avec des ouvertures dans la couche diélectrique et l'électrode de commande. Le procédé en question prévoit la possibilité de recouvrir la surface des émetteurs avec un matériau apte à stabiliser leur courant d'émissions, ainsi que la formation d'un oxyde sur le bord des orifices de l'électrode de commande. Il en résulte un pourcentage accru des structures niveau profond acceptables, ainsi qu'une homogénéité du courant d'émission provenant de leur surface.