GATE DRIVE CIRCUIT FOR AN SCR

A gate drive circuit for a silicon controlled rectifier (SCR) connected in an a-c power circuit includes a voltage divider network connected between a d-c voltage source and the SCR for developing a varying voltage on a control node, depending upon whether the anode-to-cathode a-c voltage of the SCR...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TOLLINGER, DONALD, L, SCHNETZKA, HAROLD, R, NORBECK, DEAN, K
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A gate drive circuit for a silicon controlled rectifier (SCR) connected in an a-c power circuit includes a voltage divider network connected between a d-c voltage source and the SCR for developing a varying voltage on a control node, depending upon whether the anode-to-cathode a-c voltage of the SCR is positive or negative. A first switching transistor, responsive to the control node voltage, controls conduction of a second switching transistor connected between the d-c voltage source and a voltage regulated driver circuit. In this way, a constant drive current is applied to the SCR gate only while the anode-to-cathode voltage of the SCR is positive. L'invention concerne un circuit de commande de grille pour redresseur commandé au silicium (SCR) connecté à un circuit en courant alternatif et comprend un réseau répartiteur de tension connecté entre la source de courant alternatif et le redresseur SCR pour produire une tension variable sur un noeud de commande en fonction de l'état positif ou négatif de la tension alternative d'anode à cathode du redresseur SCR. Un premier transistor de commutation, réceptif à la tension du noeud de commande, commande la conduction d'un second transistor de commutation connecté entre la source de tension directe et un circuit de commande régulé en tension. Par ce procédé, on applique un courant de commande constant à la commande de grille seulement lorsque la tension d'anode à cathode du redresseur SCR est positive.