MULTI-CHAMBER CONTINUOUS SPUTTER COATING SYSTEM

Methods and apparatus are disclosed for effecting high rate deposition and formation of thin films onto substrates (26) mounted on rotating drums (24) transported sequentially into, through, and out of continuously operating processing chambers (34, 40, 42) maintained under appropriate vacuum conditions. Within each processing chamber (34, 40, 42), the drums (24) rotate the substrates (26) past atmospherically separated linear magnetron sputter deposition and reaction zones to deposit and form durable optical quality thin film coatings. Serially connected to the at least one processing chamber (34, 40, 42) is at least one load chamber (22), which may be sealed from the atmosphere and from the processing chamber (34, 40, 42). Also serially connected to the at least one processing chamber (34, 40, 42) is at least one unload chamber (44) sealable from the atmosphere and the processing chamber (34, 40, 42). The pressure within the at least one load (22), unload (44) and processing chambers (34, 40, 42) is selectively cycled so as to permit sequential introduction of substrate-carrying drums. L'invention a trait à des procédés, ainsi qu'à l'appareil correspondant, permettant de déposer et de constituer, à une cadence élevée, de minces films sur des substrats (26) montés sur des tambours rotatifs (24) et transportés séquentiellement vers des enceintes, à travers et à l'extérieur de celles-ci, ces enceintes étant des enceintes de traitement (34, 40, 42) fonctionnant en continu et dans lesquelles est maintenu un vide approprié. Dans chaque enceinte de traitement (34, 40, 42), les tambours entraînent les substrats (26) par rotation et les font passer par des zones, à l'abri de l'atmosphère, de réaction et de dépôt par vaporisation au moyen d'un magnétron linéaire et ce, afin de déposer et de constituer des revêtements sous forme de minces films, durables et de qualité optique. Une enceinte de chargement (22), au moins, est reliée en série à une enceinte de traitement (34, 40, 42), au moins, cette enceinte de chargement pouvant être hermétiquement isolée de l'atmosphère comme de l'enceinte de traitement (34, 40, 42). une enceinte de déchargement (44) est également reliée en série aux enceintes de traitement (34, 40, 42), à celle, du moins, citée ci-dessus, cette enceinte de déchargement étant également susceptible d'être isolée hermétiquement de l'atmosphère et de ladite enceinte de traitement (34, 40, 42). La pression régnant dans ces enceintes de chargement (22),