PROCESS FOR PRODUCING AN MOS TRANSISTOR

An MOS transistor has a gate electrode (33) with a T-shaped cross-section. The gate length is defined in a first structuring step by a spacer method. The upper extension of the gate electrode is defined in a second structuring step. The MOS transistor can be produced with a channel length of under 100 nm. Un transistor MOS présente une électrode de grille (33) ayant une section transversale en forme de T. La longueur de la grille est définie, dans une première étape de la structuration, par la technique des éléments d'écartement. L'extension de l'électrode de grille dans la zone supérieure est définie dans une seconde étape. La longueur du canal du transistor MOS peut être inférieure à 100 nm.