SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH PRISMATIC CHANNEL AREA

Die Erfindung betrifft ein Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes in Planartechnologie bestehend aus einem Substrat (1), insbesondere einem Silizium-Substrat, und darauf ausgebildeten zueinander beabstandeten isolierten Anschlussbereichen (A), zwischen denen isoli...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	ROSKOS, HARTMUT, GONDERMANN, JOERG, KURZ, HEINRICH, ROEWER, THOMAS, SPANGENBERG, BERND
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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