SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH PRISMATIC CHANNEL AREA

Die Erfindung betrifft ein Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes in Planartechnologie bestehend aus einem Substrat (1), insbesondere einem Silizium-Substrat, und darauf ausgebildeten zueinander beabstandeten isolierten Anschlussbereichen (A), zwischen denen isoliert zu den Anschlussbereichen (A) ein elektrisch leitfähiger Kanalbereich (K) ausgebildet ist. Zur Ermöglichung einer weiteren Integration, ohne dass sich die elektrischen Kennwerte gegenüber herkömmlich hergestellten Bauelementen verschlechtern, ist vorgesehen, dass der sich zwischen den Anschlussbereichen (A) erstreckende dreidimensional ausgebildete Kanalbereich (K) die Form eines Prismas aufweist, dessen Querschnittsfläche mindestens drei Ecken aufweist, wobei eine der Prismenrandflächen parallel zur Substratebene angeordnet ist. The invention concerns a semiconductor component and a method of manufacturing the same in planar technology, the component comprising a substrate (1), in particular a silicon substrate, and formed thereon mutually spaced isolated connection areas (A), between which an electrically conductive channel area (K) is formed such that it is isolated from these connection areas (A). According to the invention, in order to permit further integration without impairing the electrical parameters with respect to components manufactured in a conventional manner, the three-dimensional channel area (K) formed between the connection areas (A) is prismatic and its cross-sectional area has at least three corners. One of the lateral surfaces of the prism is disposed parallel to the substrate plane. L'invention concerne un composant et un procédé de production d'un composant à semi-conducteur en technologie planaire. Ce composant comprend un substrat (1), notamment un substrat en silicium et des zones de connexion (A) isolées, situées à distance les unes de autres, formées sur le substrat, entre lesquelles est formée une zone de canal (K) électroconductrice, isolée par rapport aux zones de connexion (A). Afin de perfectionner le mode de montage intégré de ce composant, sans entraîner pour autant de dégradation de ses paramètres électriques par rapport aux composants produits de manière classique, il est prévu que la zone du canal (K) qui s'étend entre les zones de connexion (A) et est en trois dimensions, présente la forme d'un prisme avec une surface transversale comportant au moins trois coins. Une des surfaces marginales du prisme est parallèle au p