ON-CHIP MEMORY REDUNDANCY CIRCUITRY FOR PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MEMORIES, AND METHODS FOR PROGRAMMING SAME

A programmable non-volatile memory device includes a memory array of addressable memory cells and multiple redundant memory cells for replacing defective memory cells in the memory array. To program the memory device, data is written to one or more of the addressable memory cells in the memory array. In the event that the data is not validly written into the address memory cells, repeated attempts are made to program the same memory cells. The memory device includes a counter for counting the number of times the same memory cells are accessed for programming purposes. When a predetermined number of such programming cycles is achieved, the address memory cells are determined to be defective. A redundancy address matching circuit is enabled at this point to replace the defective memory cells with redundant memory cells that can be validly programmed. The memory device subsequently routes the data to the redundant memory cells instead of the defective memory cells. A system including a programming machine and the programmable non-volatile memory device, and methods for programming such memory devices, are also disclosed. Dispositif de mémoire rémanente programmable comportant un ensemble de mémoires constitué de cellules de mémoire adressables et de multiples cellules de mémoire redondantes pour remplacer les cellules défectueuses de l'ensemble mémoire. Pour programmer le dispositif mémoire, des données sont introduites dans une ou plusieurs des cellules de mémoire de l'ensemble mémoire. Si les données ne sont pas correctement introduites dans les cellules de mémoire à adresse, des tentatives répétées sont faites pour programmer ces mêmes cellules. Ledit dispositif mémoire comprend un compteur pour compter le nombre de fois que les mêmes cellules sont sollicitées à des fins de programmation. Lorsqu'un nombre prédéterminé de tels cycles de programmation est atteint, les cellules de mémoire à adresse sont classées comme défectueuses. Un circuit de redondance d'assortiment d'adresses est autorisé à ce stade à remplacer les cellules de mémoire défectueuses par des cellules de mémoire redondantes qui peuvent être correctement programmées. Le dispositif mémoire achemine ultérieurement les données vers les cellules de mémoire redondantes au lieu de les acheminer vers les cellules défectueuses. L'invention décrit également un système comprenant une machine de programmation et ledit dispositif de mémoire rémanente programmable, ainsi que des procédés pour programmer d