METHOD OF FORMING A FLUORINATED SILICON OXIDE LAYER USING PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

A method of forming a fluorinated silicon oxide dielectric layer (33) by plasma chemical vapor deposition. The method includes the steps of creating a plasma in a plasma chamber (10) and introducing a silicon-containing gas, a fluorine-containing gas, oxygen and an inert gas such that the gases are excited by the plasma and react proximate a substrate (16) to form a fluorinated silicon oxide layer on the surface of the substrate (16). The fluorinated layer so formed has a dielectric constant which is less than that of a silicon oxide layer. Cette invention se rapporte à une méthode qui permet de former une couche diélectrique d'oxyde de silicium fluorée (33) par déposition en phase vapeur par procédé chimique au plasma. Ledit procédé consiste à créer un plasma dans une chambre de plasma (10) et à introduire un gaz contenant du silicium, un gaz contenant du fluor, de l'oxygène et un gaz inerte, pour que ces gaz soient excités par le plasma et réagissent à proximité d'un substrat (16), afin de former une couche d'oxyde de silicium fluorée sur la surface dudit substrat (16). La couche fluorée ainsi formée présente une constante diélectrique qui est inférieure à celle d'une couche d'oxyde de silicium.