INTEGRATED CIRCUIT WITH COMPLEMENTARY ISOLATED BIPOLAR TRANSITORS AND METHOD OF MAKING SAME

Process for making an integrated-circuit (IC) chip with junction-isolated complementary bipolar transistors. In this process an N-well (11) is formed in a P-type substrate (10). P-type dopant is implanted in the N-well (11) to become a sub-collector (12) for a pnp transistor. N-type dopant is implanted in the substrate (10) in a location laterally displaced from the N-well (11) to become a sub-collector (18) for an npn transistor. N-type material is implanted in the N-well (11) to begin the formation of an isolation wall (16) for the pnp transistor. A P-type epitaxial (epi) layer (20) then is grown over the P-type substrate (10). N-type material is implanted in the epi layer (20) to complete the isolation wall (22) for the pnp transistor, and to complete the collector (24) for the npn transistor. P-type and N-type material also is implanted in the P-type epi layer (20) to form the bases (30, 34) and emitters (32, 40) for the npn and pnp transistors. Un procédé permet de fabriquer une plaquette de circuit intégré à transistors bipolaires complémentaires à jonction isolée. Selon ce procédé, un puits N (11) est formé dans un substrat de type P (10). Un dopant de type P est déposé dans le puits N (11) pour constituer un sous-collecteur (12) d'un transistor pnp. Un dopant de type N est déposé sur le substrat (10), en un point latéralement décalé par rapport au puits N (11), pour constituer un sous-collecteur (18) d'un transistor npn. Un matériau de type N est déposé dans le puits N (11) pour commencer la formation d'une paroi d'isolation (16) du transistor pnp. On fait alors croître une couche épitaxiale de type P(20) sur le substrat de type P(10). Un matériau de type N est déposé sur la couche épitaxiale (20) pour achever la paroi d'isolation (22) destinée au transistor pnp et pour achever le collecteur (24) du transistor npn. Des matériaux de types P et N sont aussi déposés sur la couche épitaxiale de type P (20) pour former les bases (30, 34) et les émetteurs (32, 40) des transistors npn et pnp.