METHOD FOR SHARPENING EMITTER SITES USING LOW TEMPERATURE OXIDATION PROCESSES
An improved method for sharpening emitter sites for cold cathode field emission displays (FEDs) includes the steps of: forming a projection on a baseplate; growing an oxide layer on the projection using a low temperature oxidation process; and then stripping the oxide layer. Preferred low temperatur...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | An improved method for sharpening emitter sites for cold cathode field emission displays (FEDs) includes the steps of: forming a projection on a baseplate; growing an oxide layer on the projection using a low temperature oxidation process; and then stripping the oxide layer. Preferred low temperature oxidation processes include: wet bath anodic oxidation, plasma assisted oxidation and high pressure oxidation. These low temperature oxidation processes grow an oxide film using a consumptive process in which oxygen reacts with a material of the projection. This permits emitter sites to be fabricated with less distortion and grain boundary formation than emitter sites formed with thermal oxidation. As an example, emitter sites can be formed of amorphous silicon. In addition, low temperature materials such as glass can be used in fabricating baseplates without the introduction of high temperature softening and stress.
Un procédé amélioré d'affilage de sites émetteurs pour des affichages à émission par effet de champ, à cathode froide, comprend les étapes consistant à former une partie saillante sur une plaque de base, à faire croître une couche d'oxyde sur la partie saillante à l'aide d'un traitement d'oxydation à basse température, puis à ôter la couche d'oxyde. Les traitements d'oxydation à basse température préférés consistent en une oxydation anodique dans un bain liquide, une oxydation au plasma et une oxydation à haute pression. Ces traitements d'oxydation à basse température développent une couche mince d'oxyde utilisant un processus de consommation dans lequel de l'oxygène réagit avec un matériau de la partie saillante. Ceci permet la fabrication de sites émetteurs avec une distorsion et une formation de limite de grain inférieures à celles de sites émetteurs formés avec une oxydation thermique. Des sites émetteurs peuvent, par exemple, être constitués de silicium amorphe. De plus, on peut utiliser des matériaux à basse température tels que le verre dans la fabrication de plaques de base sans avoir recours à un ramollissement et à une contrainte à haute température. |
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