PLASTIC ENCAPSULATION OF IC DEVICE BY TWO LEVEL EPOXY ENCAPSULATION

A two level epoxy encapsulated integrated circuit device with improved high temperature characteristics is disclosed. The arrangement is particularly useful in packaging integrated circuits having aluminum die pads that are electrically connected to other components using gold bonding wires. A non-brominated epoxy topping is applied over the top surface of the die taking special care to encapsulate the intermetallic gold/aluminum bond regions. A second level encapsulation involving a transfer molding compound is then performed to form an exterior plastic package. The resulting package has reduced intermetallic growth and improved high temperature storage life and operational reliability. L'invention concerne un dispositif de circuit intégré enrobé d'époxyde à deux niveaux présentant des caractéristiques améliorées à haute température. Ce système est particulièrement utile pour emballer des circuits intégrés présentant des plages de connexion de puce en aluminium qui sont connectées électriquement à d'autres composants à l'aide de fils de métallisation en or. On applique une couche de surface d'époxyde non bromée sur la surface supérieure de la puce en prenant particulièrement soin d'enrober les régions de liaison intermétalliques or/aluminium. On procède ensuite à une deuxième étape d'enrobage qui consiste à utiliser un composé de moulage par transfert pour former un boîtier en plastique extérieur. Le boîtier résultant présente une croissance intermétallique réduite, une durée de vie en stockage prolongée à haute température et une fiabilité de fonctionnement accrue.