BaF2/GaAs ELECTRONIC COMPONENTS

Metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFETs), charged coupled devices (CCDs), and capacitors based on an epitaxial barium fluoride/gallium arsenide reaction product layer (32) deposited on a single crystal gallium arsenide substrate (20) and a single crystal barium fluoride insula...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHU, TAK-KIN, SANTIAGO, FRANCISCO
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFETs), charged coupled devices (CCDs), and capacitors based on an epitaxial barium fluoride/gallium arsenide reaction product layer (32) deposited on a single crystal gallium arsenide substrate (20) and a single crystal barium fluoride insulator layer (34) deposited directly on the reaction product layer. Transistors à effet de champ MIS, circuits à couplage de charges et condensateurs comportant une couche (32) de produit de réaction épitaxiale fluorure de baryum/arséniure de gallium déposée sur un substrat (20) en arséniure de gallium monocristallin et sur une couche (34) d'isolation en fluorure de baryum monocristallin déposée directement sur la couche de produit de réaction.