CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD

A CVD reactor and method for growing semiconductor material upon a selected surface of a semiconductor wafer (30) supported within the reactor includes a plurality of heat shields (50, 56, 58 and 60) that are arranged relative to the peripheral edge and underside of the wafer (30) to alter the radiation of flux from the wafer (30) that is heated to elevated temperatures by a bank (32) of high intensity lamps (49) that are oriented to illuminate the upper side of the wafer (30) through a transparent wall (46) of the reactor. A reactant gas flowing into the chamber from above the wafer is inhibited from flowing about the underside of the wafer (30), thereby assuring wafers that are not contaminated on the underside. Réacteur et procédé par dépôt de vapeur chimique permettant de déposer une matière semi-conductrice sur une surface sélectionnée d'une tranche de semi-conducteur (30) maintenue à l'intérieur du réacteur. Ce dernier comporte un ensemble de boucliers thermiques (50, 56, 58 et 60) qui sont disposés par rapport au bord périphérique et au côté inférieur de la tranche (30), de manière à modifier le rayonnement du flux provenant de la tranche (30) qui est chauffée à de températures élevées par un groupe (32) de lampes à haute intensité (49) qui sont orientées de façon à illuminer le côté supérieur de la tranche (30) à travers un paroi transparente (46) du réacteur. On empêche un gaz réactif s'écoulant dans la chambre depuis le dessus de la tranche de s'écouler autour du côté inférieur de la tranche (30), afin de prévenir toute contamination du côté inférieur de la tranche.