PROCESS FOR PRODUCING LAYERS OF CUBIC BORON NITRIDE
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von verschleissfesten Schichten aus kubischem Bornitrid oder solches enthaltenden verschleissfesten Schichten durch Aufstäuben (Sputtern) mit Hochfrequenz oder mit Gleichspannung in der Betriebsart als unbalanciertes Magnetron, bei der die Plasmae...
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Hauptverfasser: | , , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von verschleissfesten Schichten aus kubischem Bornitrid oder solches enthaltenden verschleissfesten Schichten durch Aufstäuben (Sputtern) mit Hochfrequenz oder mit Gleichspannung in der Betriebsart als unbalanciertes Magnetron, bei der die Plasmaerzeugung mittels Gleichstrombogenentladungen oder gleichstrombetriebenen Magnetronkatoden erfolgt. Erfindungsgemäss besteht das Ausgangstarget für die Schichtherstellung, an dem der Materialabtrag stattfindet, aus elektrisch leitendem und Bor enthaltendem Material, vorzugsweise Borcarbid, und bei dem Verfahren erfolgt die reaktive Prozessführung unter Zugabe von N2 und Ar derart, dass die erforderliche B:N-Stöchiometrie in der Schicht eingestellt werden kann.
The invention relates to a process for producing wear-resistant layers of cubic boron nitride or wear-resistant layers containing it by sputtering with r.f. or d.c. voltage in the operating mode as an unbalanced magnetron, in which the plasma is generated by d.c. arc discharges or d.c.-operated magnetron cathodes. According to the invention, the initial target for the production of the layer from which the material is removed consists of electrically conductive material containing boron, preferably boron carbide, and, in the process, the reactive process is conducted with the addition of N2 and Ar in such a way that the necessary stoichiometric ratio B:N in the layer can be adjusted.
L'invention concerne un procédé pour la fabrication de couches de nitrure de bore cubique résistant à l'usure ou de couches résistant à l'usure et contenant ce produit, par pulvérisation à haute fréquence ou avec application d'une tension continue en mode de magnétron déséquilibré, procédé dans lequel la production de plasma s'effectue au moyen de décharges d'arc à courant continu ou de cathodes de magnétron fonctionnant en régime de courant continu. Dans l'invention, la cible de sortie pour la réalisation des couches, sur laquelle s'effectue l'enlèvement de matière, est constituée d'un matériau électriquement conducteur et contenant du bore, de préférence un carbure de bore, et, dans le procédé, la conduite réactive du processus s'effectue avec un apport de N2 et de Ar pour permettre de régler la stoechiométrie B:N requise dans la couche. |
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