NEW TYPE OF SILICON SEMICONDUCTOR PLATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME

Es wird vorgeschlagen, eine Sililziumhalbleiterscheibe (Wafer) aus drei gegeneinander verkippten monokristallinen Bereichen (6, 7, 8,) aufzubauen, die drei Kreissektoren des Wafers bilden, deren Grenzflächen und -linien somit gegeneinander radial verlaufen und Winkel (W6, W7, W8) kleiner als 180 DEG miteinander bilden. Dabei sind zwei der Grenzflächen Zwillingskorngrenzen erster Ordnung zwischen jeweils Kristallebenen. Die Siliziumhalbleiterscheibe wird zur Herstellung kostengünstiger Hochleistungssolarzellen verwendet. A silicon semiconductor wafer is made up of three mutually inclined monocrystalline areas (6, 7, 8) that form three sectors of the wafer. Their interfaces and boundary lines extend radially towards each other and enclose angles (W6, W7, W8) of less than 180 DEG . Two of the interfaces form twin, first order grain boundaries between two crystal planes. This silicon semiconductor wafer is used to produce economic, high power solar cells. Une plaquette semi-conductrice en silicium (tranche de silicium) est constituée de trois zones monocristallines (6, 7, 8) inclinées les unes par rapport aux autres et qui forment trois secteurs de la tranche. Les interfaces entre les trois zones et leurs lignes de séparation s'étendent ainsi radialement les unes vers les autres et forment entre elles des angles (W6, W7, W8) de moins de 180 DEG . Deux interfaces forment des joints de grains maclés de premier ordre entre deux plans cristallins . La plaquette semi-conductrice en silicium est utilisée pour produire des cellules solaires de haute puissance à faible coût de production.