A THIN FILM MASK FOR USE IN AN X-RAY LITHOGRAPHIC PROCESS AND ITS METHOD OF MANUFACTURE
A thin film mask for use in an X-ray lithographic process is disclosed herein along with a method of making the mask which is comprised of a diamond thin film layer supported on one surface of an X-ray transparent non-diamond substrate, for example silicon. A predetermined pattern of ions of a subst...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A thin film mask for use in an X-ray lithographic process is disclosed herein along with a method of making the mask which is comprised of a diamond thin film layer supported on one surface of an X-ray transparent non-diamond substrate, for example silicon. A predetermined pattern of ions of a substance opaque to X-rays, for example a heavy atomic number substance such as gold, tungsten or cesium, is introduced into the diamond thin film layer as opposed to being deposited thereon. In one embodiment disclosed herein, this is accomplished by means of ion implantation, and in a second embodiment by means of an ion beam direct write device.
Masque à couche mince destiné à être utilisé dans un procédé de gravure aux rayons X, ainsi que procédé de fabrication dudit masque qui se compose d'une couche mince en diamant placée sur la surface d'un substrat transparent aux rayons X n'étant pas constitué de diamant, par exemple du silicium. Une configuration prédéterminée d'ions d'une substance opaque aux rayons X, par exemple une substance de numéro atomique élevé telle que de l'or, du tungstène ou du césium, est introduite dans la couche mince en diamant, et non pas déposée sur cette dernière. Dans un mode de réalisation, cette introduction est effectuée par implantation d'ions et dans un second mode de réalisation, au moyen d'un dispositif d'écriture directe à faisceau d'ions. |
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