SEMICONDUCTOR LASER PASSIVATION AND OVERSTRESSING

A method for improving the reliability of $i(InGaAsP) lasers in which the lasers are subjected to sulfide passivation so as to passivate defects on their facets. The lasers are then tested to determine whether any laser has an internal defect. For example, all lasers can be tested at an electrostatic discharge (ESD) level which would cause any laser having an internal defect to fail. Failed lasers are discarded. The passivation greatly increases the ESD failure level for facet defects, and the EDS screening removes those lasers having internal defects. Thereby, those lasers remaining in the lot have greatly increased reliability to ESD. Procédé permettant d'améliorer la fiabilité des lasers InGaAsp, dans lequel on soumet les lasers à une passivation au sulfure de manière à passiver les défauts situés sur leurs facettes. On vérifie ensuite les lasers pour déterminer si l'un d'entre eux présente un défaut interne. Par exemple, on peut vérifier tous les lasers, avec un niveau de décharge électrostatique qui fera tomber en panne tout laser comportant un défaut interne. On éliminera de cette manière tous les lasers défectueux. La passivation permet d'augmenter fortement le niveau de défaillance par rapport à la décharge électrostatique des défauts des facettes et le triage effectué par décharge électrostatique permet d'éliminer les lasers présentant des défauts internes. Les lasers restant dans le lot sont par conséquent beaucoup plus fiables par rapport à la décharge électrostatique.