ORGANIC PRECLEAN FOR IMPROVING VAPOR PHASE WAFER ETCH UNIFORMITY

A method for achieving greater uniformity and control in vapor phase etching of silicon, silicon oxide layers and related materials associated with wafers used for semiconductor devices comprises the steps of first cleaning the wafer (3) surface to remove organics, followed by vapor phase etching. An integrated apparatus (1) for cleaning organic and, subsequently, vapor phase etching, is also described. Procédé permettant d'obtenir une meilleure uniformité et un contrôle amélioré de l'attaque en phase vapeur des couches de silicium et d'oxyde de silicium et des matériaux associés aux tranches utilisées dans les dispositifs à semi-conducteurs. Dans ce procédé on nettoie tout d'abord la surface de la tranche (3) pour éliminer les particules organiques, puis on effectue l'attaque en phase vapeur. Un appareil unique (1) servant à effectuer le nettoyage des particules organiques puis l'attaque en phase vapeur est également décrit.