HIGH FREQUENCY OSCILLATOR COMPRISING COINTEGRATED THIN FILM RESONATOR AND ACTIVE DEVICE

A cointegrated high frequency oscillator (130) including a thin film resonator (27) and active devices (25) formed on the same semiconductor substrate (20) and by a process which is compatible with formation of both the thin film resonator and the active devices. The processes utilized in formation...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BURNS, STANLEY, G, WEBER, ROBERT, J, BRAYMEN, STEVE, D
Format: Patent
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:A cointegrated high frequency oscillator (130) including a thin film resonator (27) and active devices (25) formed on the same semiconductor substrate (20) and by a process which is compatible with formation of both the thin film resonator and the active devices. The processes utilized in formation of the thin film resonator are adapted to microelectronic processing techniques such that the steps of formation of the active devices and the thin film resonator can be intermixed to the degree necessary to allow, for example, the metallization layers (36, 37) to serve as elements both of the active devices and the thin film resonator. Oscillateur haute fréquence (130) co-intégré comprenant un résonateur à couche mince (27) ainsi que des dispositifs actifs (25) formés sur le même substrat à semi-conducteur (20) et selon un procédé compatible avec la formation à la fois du résonateur à couche mince et des dispositifs actifs. Les procédés utilisés dans la formation du résonateur à couche mince sont adaptés à des techniques de traitement microélectroniques de sorte que les étapes de la formation des dispositifs actifs et du résonateur à couche mince peuvent être mélangées jusqu'à obtention d'un degré nécessaire pour permettre, par exemple, aux couches de métallisation (36, 37) de servir d'éléments à la fois des dispositifs actifs et du résonateur à couche mince.