PROCESS FOR ACHIEVING CONTROLLED PRECIPITATION PROFILES IN SILICON WAFERS

The object of the invention is a process for the treatment of silicon wafers to achieve therein controlled precipitation profiles for the manufacture of electronic components, comprising the following fundamental operations: a) subjecting the wafers to a preliminary thermal treatment, at a temperature between 950 DEG C and 1150 DEG C, in particular at about 1100 DEG C, for a duration of about 15 minutes; b) after a standard chemical corrosion (etching) treatment, subjecting pairs of coupled wafers in a close reciprocal thermal contact to a rapid thermal annealing treatment, at a temperature between 1200 DEG C and 1275 DEG C for a duration of some tens of seconds; c) subjecting the wafers to a further extended thermal treatment at a temperature between 900 DEG C and 1000 DEG C, and, finally, d) extracting the wafers from the furnace and subjecting the surfaces that were in a close reciprocal contact during the rapid annealing treatment to a surface polishing. The resulting wafers have a profile of the density of the precipitates that presents a concentration peak in proximity to a surface (trapping zone) and a very low concentration plateau in proximity to the other surface (active zone). Procédé de traitement de tranches de silicium destinés à former dans celles-ci des profils de précipitation régulés permettant la fabrication de composants électroniques. Le procédé consiste (a) à soumettre les tranches à un traitement thermique préliminaire à une température comprise entre 950 °C et 1150 °C, notamment à une température de 1100 °C, pendant une quinzaine de minutes; (b) après un traitement normal par gravure chimique, à soumettre des paires de tranches couplées et en contact thermique réciproque intime à un traitement rapide de recuit thermique à une température comprise entre 1200 °C et 1275 °C et pendant quelques dizaines de secondes; (c) à soumettre lesdites tranches à un traitement thermique supplémentaire et prolongé à une température comprise entre 900 °C et 1000 °C; et enfin (d) à extraire les tranches du four et à soumettre à un polissage superficiel celles parmi les surfaces qui se trouvaient en contact réciproque intime au cours du traitement rapide de recuit. Les tranches ainsi obtenues possèdent un profil de densité des précipités qui présente une pointe de concentration très peu élevée à proximité de l'autre surface (zone active).