SEMICONDUCTIVE STRUCTURES, METHODS FOR CONTROLLING THEIR CONDUCTIVITY AND SENSITIVE ELEMENTS BASED ON THOSE SEMICONDUCTIVE STRUCTURES

A semiconductive structure where the relationship between the admixture concentrations is such that the number of carriers generated by an admixture of first-type conductivity and compensated by a third admixture is essentially equal to, or exceeds by no more than one order, the number of carriers generated by an admixture of second-type conductivity. In a method for controlling the conductivity of a semiconductive structure (1), the value of the current in the course of formation of the current column is established within a range where in the semiconductive structure (1) appears a periodical change of conductivity leading to the change of conductivity of the whole semiconductive structure (1) and a pulse sequence is obtained at the output of the semiconductive structure (1). For the structures (1) in which the number of carriers generated by the admixture of first-type conductivity and compensated by the third admixture exceeds by no more than one order the number of carriers generated by the admixture of second-type conductivity, it is necessary to apply an external influence to the structure (1) during the formation of the current column. At least one external influence is applied for controlling the change frequency of the conductivity within the zone of the current column of the structure (1). Structure à semi-conducteurs dans laquelle la relation entre les concentrations de matières ajoutées est telle que le nombre de supports produits par une matière ajoutée d'une conductivité d'un premier type, et compensés par une troisième matière ajoutée, est sensiblement égale au nombre de supports produits par une matière ajoutée d'une conductivité d'un second type, sans excéder ledit nombre d'un ordre de grandeur. Selon un procédé de régulation de la conductivité d'une structure à semi-conducteurs (1), la valeur du courant dans le déroulement de la formation de la colonne de courant, est établie dans une plage dans laquelle apparaît dans la structure à semi-conducteurs (1), un changement périodique de conductivité conduisant au changement de conductivité dans la totalité de la structure à semi-conducteurs (1), et l'on obtient une séquence d'impulsions à la sortie de la structure à semi-conducteurs (1). Pour les structures (1) dans lesquelles le nombre de supports produits par la matière ajoutée d'une conductivité d'un premier type, et compensés par la troisième matière ajoutée, dépasse d'un ordre de grandeur au plus, le nombre de supports produits par la mat