A HIGH CAPACITY EPITAXIAL REACTOR

L'invention concerne un réacteur épitaxial cylindrique (100 A) ayant une capacité de charge supérieure à celle de réacteurs épitaxiaux cylindriques de l'art antérieur, produisant une qualité de couche épitaxiale au moins aussi bonne que celle produite par les réacteurs épitaxiaux cylindriq...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	MOORE, GARY, M
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL CRYSTAL GROWTH DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention concerne un réacteur épitaxial cylindrique (100 A) ayant une capacité de charge supérieure à celle de réacteurs épitaxiaux cylindriques de l'art antérieur, produisant une qualité de couche épitaxiale au moins aussi bonne que celle produite par les réacteurs épitaxiaux cylindriques de l'art antérieur. On améliore la capacité de charge de réacteurs épitaxiaux cylindriques de l'art antérieur en augmentant la taille de la chambre de réaction (160), et en augmentant la source thermique radiante (150A) de sorte qu'une température uniforme soit maintenue sur une plus grande zone plane (167) dans ladite chambre de réaction (160). De plus, un flux d'air forcé provenant de la soufflante du réacteur de l'art antérieur est réparti, de sorte qu'un flux d'air positif soit maintenu le long de la paroi extérieure de ladite chambre de réaction (160) et par voie de conséquence la paroi (141) est maintenue à une température froide uniforme par rapport à la température de la chambre de réaction (160).