IMPROVED ETCHING METHOD FOR PHOTORESISTS OR POLYMERS

The present invention relates to an improved method for dry etching and/or thinning polymers, stripping photoresists from semiconductors, or removing the volatile organic matter of residue from substrates. Three related sets of conditions are disclosed. First, a plasma discharge is contacted with a reactive gas then the gas is contacted with a sacrificial non-metallic chemical source (13A) in the afterglow of the plasma discharge, producing a reactive gas species which etches the material (13) to be etched. Second, a reactive gas and the sacrificial non-metallic chemical source (13A) are simultaneously contacted with a plasma discharge producing a reactive gas species which etches the material (13) to be etched. Third, a reactive gas is directly irradiated using ultraviolet radiation producing ultraviolet generated gas particles which when it contacts the sacrificial non-metallic chemical source (13A) and material (13) to be etched, produces a reactive gas species which etches the material (13) to be etched. The method is particularly useful in removing organic photoresists in semiconductor manufacture. La présente invention concerne un procédé perfectionné pour attaquer et/ou réduire par voie sèche des polymères, décaper des vernis photosensibles sur des semi-conducteurs, ou éliminer les substances organiques volatiles des résidus contenus dans les substrats. Trois groupes connexes de conditions sont décrits. Premièrement, une décharge de plasma est mise en contact avec un gaz réactif, puis ce dernier est mis en contact avec une source chimique non métallique sacrificielle (13A) dans la post-décharge de plasma, ce qui produit une espèce de gaz réactif qui attaque le matériau (13) à attaquer. Deuxièmement, un gaz réactif et la source chimique non métallique sacrificelle (13A) sont simultanément mis en contact avec une décharge de plasma, ce qui donne une espèce de gaz réactif qui attaque le matériau (13) à attaquer. Troisièmement, un gaz réactif est directement irradié au moyen d'un rayonnement ultraviolet produisant des particules de gaz générées par les ultraviolets, lequel rayonnement, lorsqu'il vient en contact avec la source chimique non métallique sacrificielle (13A) et le matériau (13) à attaquer, produit une espèce de gaz réactif qui attaque ledit matériau (13). Ce procédé est particulièrement utile pour enlever des vernis photosensibles organiques lors de la fabrication des semi-conducteurs.